Modèle de Produit

DS1225Y-150

Introduction

Circuit intégré SRAM non volatile

Marque et Fabricant

Dallas Semiconductor

Caractéristiques

SRAM non volatile de 64K, rétention de données de 10 ans, écriture sous puissance active, aucune batterie requise pour la rétention des données, protection automatique contre l'écriture en cas de perte de courant

Performance du Produit

Accès haute vitesse, endurance illimitée en lecture/écriture, faible consommation d'énergie CMOS

Spécifications Techniques

Temps d'accès : 150 ns, Capacité de stockage : 64 Kbit, Rétention des données : 10 ans minimum, Tension de fonctionnement : 5V ±10%, Courant actif : 50 mA max, Courant de veille : 1 mA max

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier DIP de 28 broches, 600 mil hermétiquement scellé

Qualité et Fiabilité

Normes JEDEC, protocoles de test de haute fiabilité

Avantages du Produit

La mémoire non volatile conserve les données sans alimentation, élimine les batteries et les circuits associés pour la rétention des données

Compétitivité du Produit

S'intègre facilement aux applications basées sur des microcontrôleurs, faible coût total de possession dû à l'absence de remplacement de batterie

Compatibilité

Compatible avec les microcontrôleurs en mode byte par byte et page par page

Certification et Conformité aux Normes

Conformité RoHS, construction sans plomb

Durée de Vie et Durabilité

Plus de 1 000 000 de cycles d'écriture, respectueux de l'environnement sans problèmes d'élimination de batterie

Champs d'Application Réels

Contrôles industriels, dispositifs médicaux, systèmes d'enregistrement de données, équipements de communication

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